ccd板机(ccd锣板机)快来看

作者简介：长期从事PCB工艺维护、改进及技术研发工作，现任职于一家上市公司研发总监；对高端PCB制造颇有研究。制订线路合理的蚀刻线宽线距补偿、排

 

作者简介：长期从事PCB工艺维护、改进及技术研发工作，现任职于一家上市公司研发总监；对高端PCB制造颇有研究。

制订线路合理的蚀刻线宽线距补偿、排版设计准则，以确保不同铜厚及不同线宽等级之质量特性，保证产品线路图形符合客户规格。设备生产能力：

PCB线宽/间距,PAD/SMD工作片补偿密集区定义：对间距小于线宽且分布密集的线路定义为密集区（见下图）稀疏区、独立区定义：对间距大于两倍线宽且分布稀疏的线路定义为稀疏区；对于线路处于空旷区域的单一线路为独立区（见下图）。

网格线隙能力（形状方式见右下图）：

湿膜光学点设计（如下图）：

工作稿，湿膜光学点距离成型区1.7mm电镀夹板最小板边：指板边至干膜覆盖边的距离≥7mm，保证锁板不夹伤对位孔中心到成型区距离通常情况按照≥2.5mm设计，特殊情况可按照2.1mm设计5线路补偿要求：一次铜蚀刻线路补偿要求：单位:mil:

酸性蚀刻流程：（一次铜正片流程）

说明:1.面铜有特殊要求,能满足以上条件；方可导入Tenting流程,SMD为所有开窗PAD2.导通孔RING环最小3.5mil，一般按4mil制作3.如有线宽和间距不能同时达到要求时，如不能移线，先参照设计准则将最小间距设计出来，再补偿线宽。

4.干膜封PTH最大孔径6.0mm，基本封孔Ring环能力同二次铜的NPTH孔封孔。二次铜蚀刻线路补偿要求：单位:mil: 碱性蚀刻流程：（二次铜负片流程）

备注：1、阻抗线补偿是在成品管控的基础上.即MI所指示的调整后的阻抗线宽上补偿，且阻抗线不可补线 2、一般BGA不可削，为了达到最小间距削BGA不小于原稿大小 3、＞10mil锡垫按正常线路补偿即可 4、其他PAD及SMD补偿参照以上线路补偿标准。

5、一般线距管控按以上标准，线距有特殊要求见以下注意事项。沉铜+GAP二次铜蚀刻线路补偿要求：单位mil

碱性蚀刻流程及技术管控举例：（客户要求底铜H/H OZ，面铜最小1.3MIL、孔铜最小0.71MIL或1.0MIL）

铜桥制作：

最小线宽线距3/3mil之碱性蚀刻线路设计（单位：mil）

1. BGA区域两PAD间线路工作稿若空间不足可采取削PAD制作2．普通板3/3mil线路采用Hoz或15um底铜全部采取钻孔前棕化减铜流程生产，HDI板3/3mil线路采用1/3oz铜箔不同底铜厚度完成二铜后面铜控制标准：。

三级难度需要将孔铜管控备注在MI流程栏中，确保最小线距前提下，加大补偿需备注在线路图纸中，干膜厚度选择1.8mil并备注指定位置。特殊板厚一次孔铜厚度控制：

二次铜注意事项：NPTH孔封孔掏铜皮定义：（槽孔字母L代表长度，W代表宽度）。

针对NPTH孔边稀疏区线路及零件孔区域独立线线径按各种基材铜厚独立区线路补偿（见下图）。

二次铜碱性蚀刻独立位置线距制作要求：单位mil

针对有空旷区料号排版方式以排至板中为优；

针对独立区域的独立孔单边Ring补偿做到10mil，最小不可低于8.0mil，见下图。

特殊情况：开窗的过孔独立Ring环我司按单边6mil制作，或者当Ring已经足够时补偿2mil即可普通孔Ring环：字母a：分别代表制作Ring环，b：削后Ring环，c：到其他PAD、线或铜皮的间距，基材铜厚1/3oz与H/Hoz（如图1）；基材铜厚1/1oz（如图2）。

NPTH孔与PTH孔相交：NPTH孔掏铜皮单边10mil制作，掏PAD比钻咀单边小4mil，PTH孔按正常制作Ring环，被NPTH孔掏掉的再制作一个与孔等大的PAD（如图3） NPTH孔钻到大铜皮上，客户要求按原始稿制作时：此种情况我们掏线路层铜皮比钻咀单边小4mil制作，减少钻咀钻刀阻力，延长钻咀寿命（如图4）。

NPTH孔钻到有开窗的锡垫上，客户要求不能掏锡垫时，此种情况我们掏锡垫比钻咀单边小4mil制作，减少钻咀钻刀阻力，延长钻咀寿命（如图5） PTH孔半孔：指的是钻孔一半需要锣掉的孔，削铜皮按成型线中心向板内4mil制作，然后再添加一个与孔等大的PAD（如图6）。

干膜厚度选用定义：MI孔铜要求≥0.9mil干膜厚度选择1.8mil，并备注MI指定位置6其他特殊要求：（包括一、二次铜）Ring环：独立孔蜘蛛脚Ring环：至少有两处导通，外层功能PAD至少需有两处与铜箔相连通，制作要求一般按图7（A），最小按图7（B）制作。

连孔蜘蛛脚Ring环：至少有两处导通，外层功能PAD至少需有两处与铜箔相连通，制作要求一般按图8（C），最小按图8（D）制作。

圆孔对应的外层为槽型且环比较小，MI无特殊指示时，钻孔补偿后，线路槽PAD做等大的补偿，或者按比原稿单边大2mil加大槽PAD，整体加大，形状不变，如图8（E）无RING PTH孔线路层制作方法：加比钻孔单边小3MIL的PAD。

（流程必须是走二次铜才有无RING做法）蚀刻字符：蚀刻字符线宽≥6mil,一般设计为8mil,基材字符即反蚀刻字符线宽≥5mil，一般设计为6mil，蚀刻字距4mil，客户原稿大于此种设计则按客户原稿制作，确保字符制作出来清晰可见即可(见图9)。

周期UL，SH是否为蚀刻，不能与其它（孔，防焊，文字）层内容相冲突。SH Mark解注：

小间隙处理：类似三角形的蜘蛛脚小间隙，原稿间距小于4mil的填实，其他的菲林蜘蛛角直径按≥10mil.如图10（A）；图10（B）所示蜘蛛脚宽度按≥6mil制作，防止显影时脱落。OK图片如下：

客户所设计的原始Gerber间距小≤3MIL的，依照MI指示是刮开还是相连，如图11（A）；同面为同一网络≤3mil间隙且狭长，直接填实制作（红色部分），如图11（B）；线宽≤6MIL细长两端不同时存在支点的无用铜箔需刮除，如图11（C）。

排叉零件孔RING环设计时，RING距大铜皮距离需≧6.5MIL（间距不足则采取削大铜皮处理），改善对偏 侧露连锡短路，如图12：

削铜：铜皮到外型成型线中心的距离：10mil，部分需保证Ring环无法削PAD的做8mil线到外型成型线中心的距离：CNC为：10mil，部分无法移线的做8mil；模冲为：12mil，至少10mil内削时注意铜箔面的连通，不可改变客户原电性功能。

V-CUT处削铜一般：15°削铜单边12mil，30°削铜单边15mil，45°削铜单边20mil，60°削铜单边25mil;2.0<板厚<4.0mm，削铜单边+5mil防止金手指斜边露铜，CAM在削铜时严格按MI要求作业，无偏公差管控时，金手指外层削铜按斜边深度中值+0.2MM削铜。

锣空位铺铜：宽度≥4.5mm，削铜皮≥2mm。工艺边铺铜：工艺边大小需大于≥3mm，削铜皮≥20mil。（如图12）。

光学点位置设置：光学点套铜皮，针对4层或4层以上板，内层不能出现一半是铜皮一半是基材形式，可以为全部是大铜皮或全部是基材（我们设计按全部是大铜皮制作）网络检测：为了彻底杜绝小间隙导通出口无法发现，针对外层资料（包括HDI板），在制作完资料后，重新COPY出每一层，表面化后，整体再缩小5MIL去与原稿进行单层网络对比（线不用选中进行放大缩小）对比的时候定义的板内属性仅为钻孔层与当前对比层。

如果同一个料号内含有不同的线路等级(客户有特殊规定之线路)，则除客户有特殊规定之线路外其它线路按最小线路进行补偿同时工程图明确标示出此部份线路的显影后、蚀刻后的控制规格一般干膜资料需要加泪滴，除非客户有要求不加，泪滴大小以SYMBOL为准。

独立区域光学点需加保护环或增加抢电PAD，并按独立区域线路补偿标准进行补偿。

特殊版设计：选化板设计：分级金手指选化设计第一次选化干膜(gold1)的资料设计图：

第二次选化干膜(gold2)的资料设计图：

备注：分级选化板资料必须在菲林上做好标示。 BGA处选化设计（针对OSP+化金选化板）

一次铜注意事项：独立线需补偿，要求图片如下：

其它特殊要求：PTH与NPTH孔相交和半孔板（即PTH孔成型后一半锣掉）在基材的情况不走一次铜流程排版及设备要求：为防止压膜后干膜超边，实际干膜尺寸需比实物板小2mm所有料号菲林长、短边各备一组防焊靶点，防止防焊靶点单组破损无法自动对位。

对于两面受镀面积超出一倍以上料号需评审，未超出按正常制作针对金手指板排版方式以金手指区域排至板中为优针对空旷区必须增加抢电PAD，确保电流分布均匀，若客户不同意时，排版时优先将空旷区排至板中针对混排版料号，单元内锣空区PCS边缘需增加PAD设计按1 X 1mm铜点6排，见下图，以防止镀铜偏厚夹膜。

曝光菲林设计要求：曝光CCD孔短边两孔间距保持在12CM 以上，小于此间距无法生产（见外层曝光机制作示意图）曝光机对位销为固定位置：故两孔之间距离保证在255mm 长边保证最小尺寸为300mm曝光定位孔内侧边缘至成型线距离一般保证在8mm，板边不够情况下至少保证6mm。

（见外层曝光机制作示意图） AOI设计要求： AOI设备工作台面有限，设计开料尺寸时不可超过最大制程能力26″*24″当有超制程能力之设计时需知会制工做相应评估服务生产高端PCB产品2-40层PCB高可靠制造。

盲埋孔（HDI）1，2, 3阶软硬结合线路板背钻，金手指以及超厚铜板