电介质是什么？电介质材料？
金融界2024年3月29日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“用于纳米片保护的电介质层及其形成方法“，公开号C
金融界2024年3月29日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“用于纳米片保护的电介质层及其形成方法“，公开号CN117790422A，申请日期为2023年4月专利摘要显示，本公开涉及用于纳米片保护的电介质层及其形成方法。
一个器件包括栅极堆叠和堆叠结构，栅极堆叠具有顶部，堆叠结构位于栅极堆叠的顶部的下方堆叠结构包括多个半导体纳米结构，多个半导体纳米结构中的上部纳米结构与相应的下部纳米结构重叠堆叠结构还包括多个栅极结构，每个栅极结构包括栅极堆叠的下部。
多个栅极结构中的每个栅极结构位于多个半导体纳米结构中的两个半导体纳米结构之间电介质层在堆叠结构的顶表面和侧壁上延伸该电介质层包括下子层和上子层，下子层包括第一电介质材料，上子层在下子层之上并且由不同于第一电介质材料的第二电介质材料形成。
栅极间隔件位于电介质层上源极/漏极区域位于栅极堆叠的旁边本文源自金融界
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- 编辑：李松一
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